半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 荒木田 孝博; 沢野 博之; 大沢 洋一; 堀田 等 |
| 发表日期 | 2000-12-15 |
| 专利号 | JP2000349388A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】半導体レーザ素子において、共振器端面におけるCOD劣化を抑制して、高出力安定動作を実現する。 【構成】共振器端面に、端面に露出した半導体材料が一様に酸化されてなる酸化膜15が形成する。また、共振器端面の近傍において、クラッド層3、5を酸化し、活性層に電流非注入領域を設ける。クラッド層3、5の酸化は、共振器を300〜600℃の高温水蒸気に暴露する方法等により行う。 |
| 公开日期 | 2000-12-15 |
| 申请日期 | 1999-06-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83452]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒木田 孝博,沢野 博之,大沢 洋一,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2000349388A. 2000-12-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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