半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 川津 善平; 中山 毅 |
| 发表日期 | 1998-12-04 |
| 专利号 | JP1998321956A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 通電中の発熱による素子寿命の短縮を回避可能な半導体装置を得る。 【解決手段】 発光素子である半導体装置は、タングステン(W)、プラチナ(Pt)、クロム(Cr)等の融点が1300℃以上である高融点金属基板1と、この高融点基板1上に形成されたAlGaNバッファ層2と、バッファ層2上に形成されたn型GaNコンタクト層3と、n型コンタクト層3上に形成されたn型AlxGa1-xN(0≦xyGa1-yN(0≦yzGa1-zN(0≦z<1)クラッド層6と、p型クラッド層6上に形成されたp型GaNコンタクト層7と、p型コンタクト層7上に形成されたp型電極12とを具備するものである。 |
| 公开日期 | 1998-12-04 |
| 申请日期 | 1997-05-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83476]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川津 善平,中山 毅. 半導体装置及びその製造方法. JP1998321956A. 1998-12-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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