半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 細見 和彦; 白井 正敬; 勝山 俊夫 |
| 发表日期 | 2007-02-09 |
| 专利号 | JP3914350B2 |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】Si基板に容易に形成可能な半導体レーザ及びそれを用いた光伝送装置を提供すること。 【解決手段】半導体レーザの活性層をベータ鉄シリサイド(β-FeSi2)によって形成し、クラッド層をSi系材料によって形成する。 【効果】同一Si基板に半導体レーザと電気信号回路とを集積化してなる光伝送装置を実現することができる。 |
| 公开日期 | 2007-05-16 |
| 申请日期 | 1999-04-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83478]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細見 和彦,白井 正敬,勝山 俊夫. 半導体レーザ装置. JP3914350B2. 2007-02-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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