結晶成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 皆川 重量; 田中 俊明; 石谷 善博; 大歳 創 |
| 发表日期 | 1995-09-26 |
| 专利号 | JP1995249831A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 結晶成長方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 AlGaInN系のエピタキシャル結晶にファブリ·ペロ·キャビテイを形成する結晶成長方法を提供することにある。 【構成】 サファイアAl2O3の(0001)基板結晶11の上に有機金属とアンモニアを用いてn型GaN層12を成長し,その表面に薄膜13を被着したのち,該薄膜を該基板結晶の〔1-100〕または〔11-20〕方向に長い長方形に除去し,その開口部にAlGaInN系の結晶から成るダブル·ヘテロ構造14~16を成長せしめ,しかる後にアンモニアの代わりにヒドラジン誘導体をもちいて,より低温でさらにAlGaInN系の結晶18を成長する。 【効果】 結晶格子で規定された良好なキャビテイが得られる。 |
| 公开日期 | 1995-09-26 |
| 申请日期 | 1994-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83479]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 皆川 重量,田中 俊明,石谷 善博,等. 結晶成長方法. JP1995249831A. 1995-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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