半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 天野 利昌; 中野 純一; 近藤 進 |
| 发表日期 | 1994-04-22 |
| 专利号 | JP1994112530A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 特にキャリアオーバーフローによる活性層内での再結合効率の劣化要因を取り除き、以って単一モード化に貢しつつ、高温度特性、低閾値、高効率、高出力の半導体発光素子を提供することを目的とする。 【構成】 活性領域と、該活性領域への電流注入によって発光またはレーザ発振を起こさせるために該活性領域に隣接してp型のクラッド層とを少なくとも有するヘテロ接合型半導体発光素子において、前記p型のクラッド層と前記活性領域との間に、前記p型のクラッド層よりもさらにエネルギーギャップが大きくかつ活性領域から見て少なくとも導電帯のヘテロ接合障壁エネルギーレベルが、前記活性領域と前記p型のクラッド層とを直接接合した時の導電帯のヘテロ接合障壁エネルギーレベルよりも高くなる材料であり、かつ前記p型のクラッド層よりも屈折率が大きい材料からなる第2のp型クラッド層を設けたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1994-04-22 |
| 申请日期 | 1992-04-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83483]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 天野 利昌,中野 純一,近藤 進. 半導体発光素子. JP1994112530A. 1994-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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