半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 尺田 幸男 |
| 发表日期 | 2003-05-23 |
| 专利号 | JP3432910B2 |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 電流阻止層で光を吸収せず、出力が大きく発光効率の高い半導体レーザを提供する。 【構成】 ヒ化ガリウム系化合物半導体からなる活性層3がヒ化ガリウム系化合物半導体からなる上部および下部クラッド層4、6で挟持され、該上部もしくは下部クラッド層の少なくとも一方の層中に電流路となるストライプ溝が設けられた電流阻止層5を有する半導体レーザであって、前記電流阻止層がチッ化ガリウム系化合物半導体からなる。 |
| 公开日期 | 2003-08-04 |
| 申请日期 | 1994-09-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83493]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尺田 幸男. 半導体レーザ. JP3432910B2. 2003-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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