半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 成井 啓修 |
| 发表日期 | 2008-04-18 |
| 专利号 | JP4110595B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造過程において活性層の側面が外部に露出した状態となった後、p型半導体層を形成する場合や、p型半導体層が活性層の側面に近接して設けられる場合であっても、活性層へのアクセプタ不純物の拡散を抑制することができ、高い信頼性を得ることができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 (100)面方位のn型GaAs基板1上に、n型Alx1Ga1-X1Asクラッド層2、Alx2Ga1-x2As活性層3、p型Alx1Ga1-X1Asクラッド層4およびp型GaAsキャップ層5が順次積層された構造の[011]方向に延びるストライプ部を設け、ストライプ部の両側の部分をp型Alx1Ga1-X1As埋め込み層8、n型Alx1Ga1-X1As埋め込み層9およびp型GaAs層10で埋める。ストライプ部の側面を{111}B面6とし、ストライプ部の側面にアクセプタ不純物の拡散阻止層としてのSe原子層7を設ける。 |
| 公开日期 | 2008-07-02 |
| 申请日期 | 1997-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83495]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成井 啓修. 半導体発光素子の製造方法. JP4110595B2. 2008-04-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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