半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 山本 三郎; 森本 泰司; 佐々木 和明; 近藤 正樹 |
| 发表日期 | 1996-08-20 |
| 专利号 | JP1996213696A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 従来の自励発振現象を有する半導体レーザでは、n形ドーパントの可飽和吸収に基づくモードホップ抑制効果があり、戻り光雑音抑制が十分ではなかった。 【解決手段】 自励発振するように作製された屈折率導波型半導体レーザのn形クラッド層のドーパントをSiにすることにより、可飽和吸収効果をなくし、即ち、モードホップ抑圧効果をなくして、戻り光雑音を低減する。 |
| 公开日期 | 1996-08-20 |
| 申请日期 | 1988-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83503]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 三郎,森本 泰司,佐々木 和明,等. 半導体レーザ素子. JP1996213696A. 1996-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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