半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 山本 直; 石橋 晃; 戸田 淳 |
| 发表日期 | 2001-09-28 |
| 专利号 | JP3235225B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力半導体レーザを構成する。 【構成】 活性層4が、屈折率n1 のP型クラッド層1と屈折率n2のN型クラッド層2とによって挟み込まれたダブルヘテロ構造を有し、上記活性層4と、上記P型クラッド層1との間に、屈折率がn3 のP型バリア層3が設けられ、各屈折率が、n1 >n2で、かつn1 ≧n3 の条件を満たし、バリア層3の厚さdが、40Å〜190Åに選定された構成とする。 |
| 公开日期 | 2001-12-04 |
| 申请日期 | 1992-11-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83513]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 直,石橋 晃,戸田 淳. 半導体レーザ. JP3235225B2. 2001-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。