光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 倉掛 博英; 内田 徹 |
| 发表日期 | 1996-02-16 |
| 专利号 | JP1996046286A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 InGaPクラッド層表面の異常成長により生じる凹凸の影響を低減して、良質の活性層を形成することができる。 【構成】 基板1上に緩和バッファー層4が形成され、該緩和バッファー層4上にクラッド層5が形成され、該クラッド層5上にリンを含有する光導波路層6,8が形成され、該光導波路層6,8上に活性層9が形成されてなる光半導体装置において、該光導波路層6を、該活性層9表面を平坦にするように、リン組成を少なくし、かつ膜厚を厚くしてなる。 |
| 公开日期 | 1996-02-16 |
| 申请日期 | 1994-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83514]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉掛 博英,内田 徹. 光半導体装置. JP1996046286A. 1996-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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