半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 須郷 満; 天明 二郎; 西谷 昭彦; 倉持 栄一 |
| 发表日期 | 1996-02-27 |
| 专利号 | JP1996056047A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 レーザの端面近傍に堆積された絶縁膜から発生する応力分布によって活性層内に転位欠陥が発生し、ダークライン劣化などが起る欠点のない信頼性の高い半導体装置を提供すること。 【構成】 基板1上にn-GaAsバッファ層2、n-AlGaAsクラッド層3、AlGaAsガイド層4、AlGaAsSCH層5、InGaAs歪量子井戸活性層6、AlGaAsSCH層7、AlGaAsガイド層8、p-AlGaAsクラッド層9、p+ -GaAsコンタクト層10を形成してなる半導体装置において、非励起領域に半導体層からなるAlGaAs電流ブロック層11を設ける構造。 |
| 公开日期 | 1996-02-27 |
| 申请日期 | 1994-08-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83520]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須郷 満,天明 二郎,西谷 昭彦,等. 半導体装置およびその製造方法. JP1996056047A. 1996-02-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。