半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 幡 俊雄; 兼岩 進治; 細羽 弘之; 近藤 雅文; 須山 尚宏; 松井 完益 |
| 发表日期 | 1993-03-12 |
| 专利号 | JP1993063306A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層の厚さおよび混晶比の制御を容易にすると共に,界面が平坦で,かつ光学的結晶性に優れたクラッド層および活性層を成長させることにより,光学的および電気的特性に優れた半導体レーザ素子を得る。 【構成】 n-GaAs基板10の上方に比較的高い基板温度で,n-AlxGa1-xAs下部第1クラッド層121を成長させる。基板温度を低下させながら,n-GaAs薄層13を成長させる。そして,比較的低い基板温度で,n-AlxGa1-xAs上部第1クラッド層122,AlyGa1-yAs活性層14およびp-AlxGa1-xAs下部第2クラッド層161を成長させる。基板温度を上昇させながら,p-GaAs薄層を成長させる。そして,比較的高い基板温度で,p-AlxGa1-xAs上部第2クラッド層162を成長させる。 |
| 公开日期 | 1993-03-12 |
| 申请日期 | 1991-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83524]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幡 俊雄,兼岩 進治,細羽 弘之,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1993063306A. 1993-03-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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