光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 東 敏生; 藤井 卓也 |
| 发表日期 | 2006-03-10 |
| 专利号 | JP3779040B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 良好な温度特性を実現し、直列抵抗が低いAlGaInAs/InP系の光半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 InP半導体基板10と、InP半導体基板10上に形成された活性層16と、活性層16上に形成され、InP半導体基板10に格子整合したp型AlInAsからなる第1クラッド層20と、第1クラッド層20上に形成され、PL波長が0.95μm〜1μmの範囲内にあり、InP半導体基板10に格子整合したp型InGaAsPからなる半導体層22と、半導体層22上に形成され、p型InPからなる第2クラッド層24とを有する。半導体層22は、第2クラッド層24をエッチングする際のエッチングストッパ層である。半導体層22と第1クラッド層20間のヘテロ障壁がほとんどない。 |
| 公开日期 | 2006-05-24 |
| 申请日期 | 1997-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83525]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東 敏生,藤井 卓也. 光半導体装置及びその製造方法. JP3779040B2. 2006-03-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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