半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鶴岡 清貴 |
| 发表日期 | 1999-10-29 |
| 专利号 | JP2996221B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流ブロック層形成時にn型InP層との接触を回避し高温高出力での特性劣化を生じない半導体レーザとその製造方法を提供する。 【解決手段】 p型InP基板101上にメサ形成用マスク102を設けた後、ストライプ状メサを形成し、選択成長によりp型InP埋込層104、n型InP電流ブロック層105を順次積層する。マスク除去後、基板全面にp型InPクラッド層106、活性層107、n型InPクラッド層108を順次積層する。次いで活性層形成用マスク109を形成し、これを用いてn型InPクラッド層108、活性層107を所望のストライプ幅にエッチングする。その後、活性層形成用マスク109を用い、活性層107の両脇にp型InP電流ブロック層110を形成する。活性層形成用マスク109を除去した後、基板全面にn型InP埋込層111を形成する。 |
| 公开日期 | 1999-12-27 |
| 申请日期 | 1997-09-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83530]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鶴岡 清貴. 半導体レーザ及びその製造方法. JP2996221B2. 1999-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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