半導体光導波路およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲浜▼本 貴一 |
| 发表日期 | 1993-06-25 |
| 专利号 | JP1993157919A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光導波路およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体のエッチング工程を用いずにGaAs系半導体光導波路の製造が可能であり、低損失で、かつ微細なGaAs系半導体光導波路を再現性良く、広い面積にわたって製造することができる方法、および上述の方法により製造される超低損失のGaAs系半導体光導波路を提供する。 【構成】 GaAs系半導体光導波路を製作する際に、エッチング工程によるリッジ形成をするのではなく、平坦なダブルヘテロ結晶上に誘電体をマスクとして選択的にGaInPリッジを成長する。このとき、リッジ側面も平滑な結晶面とすることができるので、散乱損失の無い超低損失な導波型光制御デバイスを実現できる。しかも、この製造方法においては、半導体のエッチングは不要であり、エッチングを行うのは薄い誘電体膜のみである上に、GaInPはAlGaAsに比べて容易に選択成長できるので、微細な半導体光導波路を広い面積にわたって均一かつ再現性良く製造することができ、集積化や量産化に適する。 |
| 公开日期 | 1993-06-25 |
| 申请日期 | 1991-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83532]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲浜▼本 貴一. 半導体光導波路およびその製造方法. JP1993157919A. 1993-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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