半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小野 健一; 綿谷 力; 花巻 吉彦 |
| 发表日期 | 2010-04-30 |
| 专利号 | JP2010098069A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】本発明は半導体レーザ素子の製造方法に関し、特にリーク電流を低減するのに好適な半導体レーザ素子の製造方法に関するものであり、埋め込み型半導体レーザ素子において、リーク電流を抑制することを目的とする。 【解決手段】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、p型の半導体基板上に、p型クラッド層、活性層及びn型クラッド層を順次形成する工程と、前記p型クラッド層、前記活性層及び前記n型クラッド層をエッチングし、メサストライプ構造部を形成する工程と、前記メサストライプ構造部の側面に、p型電流ブロック層、第1の半絶縁性電流ブロック層、n型電流ブロック層及び第2の半絶縁性電流ブロック層を順次形成し、埋め込み型電流ブロック層を形成する工程と、前記n型クラッド層及び前記埋め込み型電流ブロック層上に、n型コンタクト層を形成する工程と、を備える。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2010-04-30 |
| 申请日期 | 2008-10-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83533]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野 健一,綿谷 力,花巻 吉彦. 半導体レーザ素子の製造方法. JP2010098069A. 2010-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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