半導体レ—ザ
文献类型：专利
| 作者 | 林 伸彦; 狩野 隆司 |
| 发表日期 | 2000-08-04 |
| 专利号 | JP2000216490A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ |
| 英文摘要 | 【課題】 導波路内に光を有効に閉じ込めることが可能であり、レーザ発振光の横モード制御を良好に行うことが出来る半導体レーザを提供する。 【解決手段】 Siドープのn-InGaNからなる多重量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにおいて、導波路の幅を制限する電流ブロック層12が、SiドープのBAlGaNからなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-08-04 |
| 申请日期 | 1999-01-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83539]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林 伸彦,狩野 隆司. 半導体レ—ザ. JP2000216490A. 2000-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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