半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 荻田 省一 |
| 发表日期 | 1993-06-11 |
| 专利号 | JP1993145183A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、発振しきい値電流を大幅に低減し、光ファイバ通信システムの加入者系への拡大やコンピュータ内部の光配線の実現に寄与することができる半導体発光装置を提供することを目的とする。 【構成】n型半導体基板2とp型クラッド層4との間にこれらより狭いバンドギャップエネルギーをもつ光閉込め層6が形成され、ダブルヘテロ構造をなしている。光閉込め層6は、光を増幅する活性領域8と発振光に対して透明な光導波領域10とが共振器方向に交互に配置され、周期的利得構造をなしている。活性領域8が配置されている周期Lは、光閉込め層6内における発振光の定在波状の強度分布に対応して発振光の管内波長λの2分の1に等しい周期である。n型半導体基板2底面にはn側電極12が形成され、p型クラッド層4上には共振器方向に3分割されたp側電極14a、14b、14cが形成されている。 |
| 公开日期 | 1993-06-11 |
| 申请日期 | 1991-11-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83548]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荻田 省一. 半導体発光装置. JP1993145183A. 1993-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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