半導体レーザ素子及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 岩井 則広; 向原 智一; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 2000-05-30 |
| 专利号 | JP2000151019A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 閉じ込め構造の寸法を確実に制御できるようにしたAl酸化層による閉じ込め構造を備え、しかも動作電圧の低い半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本半導体レーザ素子20は、n-InP基板21上に順次形成された、n-InPクラッド層22、SCH-MQW活性層23、p-InP第一クラッド層24、Al酸化層29、p-InP保護層26、p-InP第二クラッド層27、及びp-GaInAsコンタクト層28からなる積層構造を備えている。積層構造のうち、Al酸化層、p-InP保護層、p-InP第二クラッド層、及びコンタクト層は、ストライプ状リッジ37として形成されている。Al酸化層及びp-InP保護層は、チャンネル状の電気的開口部35を形成するように、リッジの幅方向中央で、チャンネル状に除去されており、Al酸化層はAlInAs層のAlが選択的に酸化されてなるAl酸化層である。 |
| 公开日期 | 2000-05-30 |
| 申请日期 | 1998-11-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83550]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,向原 智一,粕川 秋彦. 半導体レーザ素子及びその作製方法. JP2000151019A. 2000-05-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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