半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細羽 弘之; 関 章憲; 幡 俊雄; 近藤 雅文; 須山 尚宏 |
| 发表日期 | 1998-07-31 |
| 专利号 | JP2810254B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To improve optical crystallinity of a semiconductor layer for constituting a multilayer structure of a semiconductor laser element and flatness and steepness of a hetero junction boundary, and to easily control thickness and composition of the layer having large reevaporating velocity. CONSTITUTION:Semiconductor layers are sequentially grown on a semiconductor substrate 10 by an MBE method. In this case, a relatively high temperature is used for a first lower clad layer 11 and a second upper clad layer 15. On the contrary, a relatively low temperature is used for a first upper clad layer 12, an active layer 13 and a second lower clad layer 14 having a high reevaporating velocity. |
| 公开日期 | 1998-10-15 |
| 申请日期 | 1991-06-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83564]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細羽 弘之,関 章憲,幡 俊雄,等. 半導体レーザ素子の製造方法. JP2810254B2. 1998-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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