Semiconductor laser device
文献类型：专利
| 作者 | KONDOW, MASAHIKO; SATOH, SHIN; MINAGAWA, SHIGEKAZU; OHISHI, AKIO; KAJIMURA, TAKASHI |
| 发表日期 | 1989-06-20 |
| 专利号 | US4841531 |
| 著作权人 | OPNEXT JAPAN, INC. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| 英文摘要 | A semiconductor laser having a double hetero structure comprises a cladding layer of In1-x-yGaxAlyP1-zAsz (0 |
| 公开日期 | 1989-06-20 |
| 申请日期 | 1988-02-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83572]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OPNEXT JAPAN, INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KONDOW, MASAHIKO,SATOH, SHIN,MINAGAWA, SHIGEKAZU,et al. Semiconductor laser device. US4841531. 1989-06-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。