半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 須山 尚宏; 近藤 雅文; 佐々木 和明; 高橋 向星; 細田 昌宏; 早川 利郎 |
| 发表日期 | 1998-05-29 |
| 专利号 | JP1998144996A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造が容易であり、再現性に優れ、歩留りが高く、低閾値電流特性であり、しかもジャンクションダウンで実装することができる半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層からなる積層構造がこの順で形成され、前記クラッド層の少なくとも一方は、その電流通路が、活性層から離れた領域で部分的に狭くされてなると共に、前記電流通路のより狭い領域の不純物濃度が、活性層により近く且つ電流通路のより広い領域の不純物濃度よりも高く形成されてなり、前記不純物濃度の境界が、活性層により近く且つ電流通路のより広い領域と電流通路のより狭い領域との界面か、電流通路のより狭い領域の前記界面近傍に形成されてなる。 |
| 公开日期 | 1998-05-29 |
| 申请日期 | 1988-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83591]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須山 尚宏,近藤 雅文,佐々木 和明,等. 半導体レーザ素子. JP1998144996A. 1998-05-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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