半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 玄 永 康 一 |
| 发表日期 | 1999-01-29 |
| 专利号 | JP1999026864A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力で短波長発振が可能で且つ温度特性も良好であり、レーザ光の広がり角も小さい可視光半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】 クラッド層のAl組成比xを0.7より大とし、さらに活性層近傍の一部のクラッド層のAl組成比を前記Al組成比より大として、組成比が凸型分布となるように構成する。また、Al組成比の相対的に低い部分のクラッド層膜厚は0より大きく1μm以下とする。Al組成比を0.7より大きくすることで、活性層のエネルギーバンドギャップ差をより大きくし、高温時のキャリアオーバフローを減少させて、温度特性の改善が図れる。活性層近傍の一部のクラッド層のAl組成比を大きくすることで、アンチ·ガイディング効果によって活性層に導波光が集中することを防止し、高出力動作を実現することができる。 |
| 公开日期 | 1999-01-29 |
| 申请日期 | 1997-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83598]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玄 永 康 一. 半導体レーザ. JP1999026864A. 1999-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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