半導体発光装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 上手 清嗣; 米谷 治雄; 牛嶋 一郎 |
| 发表日期 | 1993-08-06 |
| 专利号 | JP1993198895A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 アナログ光伝送用のレーザに関し,レーザのチャーピング幅を広げて, フアイバ伝送時のCNR の劣化を抑制することと,活性層への電流集中を改善して歪を低減することを目的とする。 【構成】 1)活性層上のクラッド層の不純物濃度が該クラッド層の面内で不均一に分布され,導波路内の屈折率分布が不均一に形成されている,2)前記クラッド層上に該クラッド層より高濃度の半導体層を被着し,該半導体層から固相拡散により不純物を不均一に導入する,3)n-InP からなる基板 1上に光ガイド層3, 活性層 4, p-InP からなる第1クラッド層 5, p+ -InGaAsPからなるキャップ層 6を順次成長し,該キャップ層から該第1クラッド層に不純物を固相拡散する,4)前記キャップ層 6として, p+ -InGaAsPに代わって p+ -InGaAs を用いるように構成する。 |
| 公开日期 | 1993-08-06 |
| 申请日期 | 1992-10-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83603]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上手 清嗣,米谷 治雄,牛嶋 一郎. 半導体発光装置およびその製造方法. JP1993198895A. 1993-08-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。