Semiconductor light emitting device and method for producing the same
文献类型：专利
| 作者 | NAKAMURA, SHINJI; ISHIDA, MASAHIRO; YURI, MASAAKI; IMAFUJI, OSAMU; ORITA, KENJI |
| 发表日期 | 2004-08-10 |
| 专利号 | US6773948 |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor light emitting device and method for producing the same |
| 英文摘要 | A semiconductor light emitting device of the present invention includes: a substrate; a light emitting layer; a semiconductor layer of a hexagonal first III-group nitride crystal; and a cladding layer of a second III-group nitride crystal. A stripe groove is provided in the semiconductor layer along a direction. |
| 公开日期 | 2004-08-10 |
| 申请日期 | 2003-04-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83617]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | NAKAMURA, SHINJI,ISHIDA, MASAHIRO,YURI, MASAAKI,et al. Semiconductor light emitting device and method for producing the same. US6773948. 2004-08-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。