半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡本 和也 |
| 发表日期 | 1996-02-16 |
| 专利号 | JP1996046287A |
| 著作权人 | NIKON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】結晶成長の途中でエッチングを行う必要のない、分布帰還型半導体レーザを提供する。 【構成】活性層16と、クラッド層13、17とを備えた半導体レーザにおいて、エバネッセントフィールド20の内側には、量子井戸構造層14が配置されている。量子井戸構造層14内のバリア層と量子井戸層との間には、特定の領域21が一定の周期で配置されている。特定の領域とは、量子井戸層およびバリア層の少なくとも一方の層に含まれる特定の原子が、濃度の高い層側から順次低下する濃度分布をもった領域である。 |
| 公开日期 | 1996-02-16 |
| 申请日期 | 1994-08-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83618]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIKON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡本 和也. 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法. JP1996046287A. 1996-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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