可視光半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 金野 信明 |
| 发表日期 | 1993-03-26 |
| 专利号 | JP1993075210A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 可視光半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層への電流注入の効率を向上できるとともに、低しきい値化,高出力化及び高信頼化(長寿命化)できる可視光半導体レーザを得る。 【構成】 GaInP活性層5の上下をp型及びn型AlGaInPクラッド層19,20で挟んだダブルヘテロ構造を有するものにおいて、活性層近傍の上記p型,n型クラッド層4,6の結晶の原子配列が活性層に向かって徐々に秩序化している構造とした。 |
| 公开日期 | 1993-03-26 |
| 申请日期 | 1991-09-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83625]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金野 信明. 可視光半導体レーザ及びその製造方法. JP1993075210A. 1993-03-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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