半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 仲野 弘司 |
| 发表日期 | 1993-11-12 |
| 专利号 | JP1993299771A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【目的】 埋め込み構造の半導体レーザにおいて、発光領域以外の漏れ電流を低減化し、電流ブロック部において寄生するサイリスタのターンオン電圧を高くして高温、高出力領域で安定して動作できるようにする。 【構成】 n型の半導体基板1上にn型バッファ層2、活性性3、クラッド層4を成長させ、選択的エッチングによりメサストライプを形成し、p型の電流ブロック層とn型の電流ブロック層7を形成した後、p型の埋め込み層8、キャップ層9を形成した作製されたレーザダイオードにおいて、p型の電流ブロック層を、下層の低キャリア濃度電流ブロック層5と上層の高キャリア濃度電流ブロック層6の2層構造とする。 |
| 公开日期 | 1993-11-12 |
| 申请日期 | 1992-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83627]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仲野 弘司. 半導体レーザダイオード. JP1993299771A. 1993-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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