面発光型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 貴幸; 森 克己; 金子 丈夫 |
| 发表日期 | 1996-12-24 |
| 专利号 | JP1996340156A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 レーザ発光面上の発光スポットを近接配置するのに適した構造の面発光型半導体レーザを提供すること。 【構成】 裏面に第1の電極101が形成された半導体基板100の表面側に一対の第1,第2の反射ミラー103,111が形成され、その間に多層の半導体層104,105,106,109が設けられる。この多層の半導体層のうち第2クラッド層106,コンタクト層109が柱状にエッチングにされて柱状部分114となり、この柱状部分114の周囲に絶縁性の埋込み層107,108が形成されている。柱状部分114の端面側に形成される光出射側の第2の電極112は、柱状部分114の端面に臨んで複数の開口部112aを有し、各々の開口部112aの周縁部が柱状部分114の端面とコンタクトされている。各開口部112aを覆って第2の反射ミラー112が形成される。 |
| 公开日期 | 1996-12-24 |
| 申请日期 | 1995-06-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83631]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 貴幸,森 克己,金子 丈夫. 面発光型半導体レーザ. JP1996340156A. 1996-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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