半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 沢野 博之; 堀田 等; 小林 健一 |
| 发表日期 | 2000-06-09 |
| 专利号 | JP3075346B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、長期に渡る駆動でも安定で信頼性の高い性能の優れた自励発振レーザを提供することを目的とする。さらに本発明は、注入電流、レーザの雰囲気温度等の条件を変えることにより互いに波長の異なるTE偏光とTM偏光を制御して出射することのできる半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】 第1導電型半導体基板1の上に、第1導電型クラッド層2、活性層4、第2導電型クラッド層31,32を有する半導体レーザにおいて、前記第1導電型クラッド層または第2導電型クラッド層の一部に可飽和吸収層35が設けられており、前記活性層には基底準位がライトホールとなるような歪が加えられており、前記可飽和吸収層には基底準位がヘビーホールとなるような歪が加えられていることを特徴とする半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 2000-08-14 |
| 申请日期 | 1997-10-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83642]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沢野 博之,堀田 等,小林 健一. 半導体レーザ. JP3075346B2. 2000-06-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。