半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 櫛部 光弘; 高岡 圭児; 船水 将久; 小野村 正明 |
| 发表日期 | 2002-12-20 |
| 专利号 | JP3381976B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 波長の制御が容易なGaInAsの歪み量子井戸構造を用いて、しきい値が低く、かつ素子特性の温度依存性を小さくすることのできる半導体レーザ装置を提供することにある。 【構成】 GaInAsP障壁層13aとGaInAs井戸層13bを積層した歪み量子井戸構造からなる活性層13をn型InPクラッド層11及びp型InPクラッド層15で挟み、さらに活性層13と各クラッド層11,15との間にGaInAsP光ガイド層12,14を挿入した半導体レーザ装置において、活性層13は有機金属気相成長法で形成されており、かつ活性層13及び光ガイド層14に不純物としてSiを添加し、このSiの濃度を1×1016cm-3〜5×1017cm-3に設定したことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2003-03-04 |
| 申请日期 | 1993-09-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83647]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫛部 光弘,高岡 圭児,船水 将久,等. 半導体レーザ装置. JP3381976B2. 2002-12-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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