半導体レ-ザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 渡邊 実 |
| 发表日期 | 1998-08-11 |
| 专利号 | JP1998215021A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ-ザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 熱膨脹係数の相違によるTE/TM偏光強度比の低下を防ぐ。 【解決手段】 n型GaAs基板1上には、n型クラッド層2、光ガイド層14、多重量子井戸活性層15、光ガイド層17及びp型クラッド層8が形成される。多重量子井戸活性層15は、2つの井戸層5と各井戸層5の間の障壁層16とから構成される。p型クラッド層8は、ストライプ状のリッジを有する。p型クラッド層8のリッジの両側面には、電流を阻止する機能を有し、p型クラッド層8よりも熱膨脹係数が大きいn型の電流ブロック層10が形成される。TEモ-ドの光強度は、TMモ-ドの光強度よりも大きく、光ガイド層14,17及び障壁層16は、井戸層5に対して引っ張り歪みを有する。 |
| 公开日期 | 1998-08-11 |
| 申请日期 | 1997-01-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83652]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡邊 実. 半導体レ-ザ装置. JP1998215021A. 1998-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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