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半導体発光装置とその製造方法

文献类型:专利

作者平田 照二
发表日期2007-02-23
专利号JP3918258B2
著作权人ソニー株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名半導体発光装置とその製造方法
英文摘要【課題】 窓構造を有する半導体発光装置の製造の煩雑さ、量産性の問題、信頼性の問題を解決する。 【解決手段】 半導体基体1上に、少なくとも第1導電型のクラッド層2と、量子井戸構造を有する活性層4と、第2導電型のクラッド層6を有する半導体層8を有し、光共振器の共振器長方向の両端面が劈開面によって形成された構成とし、その半導体層8の成長膜厚が、この半導体層の面方向に、相対的に膜厚の小さい領域と、大きい領域とが選択的に作り込まれた構成とする。そして、光共振器の共振器長方向の両端部にその両端面に臨んで、膜厚の小さい領域12が形成され、光共振器の中央領域に膜厚が大きい領域11が形成された構成とする。
公开日期2007-05-23
申请日期1997-11-14
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83663]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ソニー株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
平田 照二. 半導体発光装置とその製造方法. JP3918258B2. 2007-02-23.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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