半導体光機能装置
文献类型：专利
| 作者 | 浅野 英樹 |
| 发表日期 | 2000-10-06 |
| 专利号 | JP2000277864A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光機能装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体光機能装置において、光出力特性を向上させ、かつ平易なプロセスで製造しコスト削減を実現する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上に、n-AlGaAsクラッド層2、GaAs活性層3、p-AlGaAsクラッド層4、p-GaAsキャップ層5を1回の結晶成長にて形成した後に、エッチングによりpクラッド層4の一部を除去してリッジを形成し、そこに、蒸着またはスパッタ等によりリッジ形成後のウェハ全面にSiO2を堆積して、通常のフォトリソグラフィ工程とエッチング工程によりリッジ上にある絶縁膜のみを除去して選択的にSiO2のブロック層6を形成する。この時、絶縁膜によるブロック層はGaAs活性層から0.2μmの距離に位置し、またその層厚は1μmとする。その後、p-GaAsキャップ層5の上部にP電極7を形成し、n型GaAs基板1の裏面にN電極8を形成する。 |
| 公开日期 | 2000-10-06 |
| 申请日期 | 1999-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83665]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 英樹. 半導体光機能装置. JP2000277864A. 2000-10-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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