III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 久喜; 小出 典克 |
| 发表日期 | 2000-10-13 |
| 专利号 | JP2000286449A |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 高品質のIII族窒化物系化合物半導体素子を再現性良く製造する方法を提供する。 【構成】 シリコン基板11の側壁を拡散防止層18で被覆した状態でIII族窒化物系化合物半導体を前記シリコン基板の上面に成長させる。 |
| 公开日期 | 2000-10-13 |
| 申请日期 | 1999-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83668]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 久喜,小出 典克. III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法. JP2000286449A. 2000-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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