半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 松田 修; 岩本 浩治; 丸谷 幸利 |
| 发表日期 | 1994-03-18 |
| 专利号 | JP1994077594A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【目的】 動作電流が低く、製造工程が簡単でしかも電流ストライプ部の幅を高い制御性で決定することができる電流狭窄構造を有する内部ストライプ型の半導体レーザーを実現する。 【構成】 p型クラッド層を兼用する光導波層としてのp型Al0.2 Ga0.8 As層6上にエッチングストップ層としてのp型Inx Ga1-x P層7をエピタキシャル成長させ、その上に電流ストップ層としてのn型Al0.3 Ga0.7 As層8をエピタキシャル成長させた後、このn型Al0.3 Ga0.7 As層8にウエットエッチングによりストライプ状の開口8aを形成する。 |
| 公开日期 | 1994-03-18 |
| 申请日期 | 1992-08-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83670]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松田 修,岩本 浩治,丸谷 幸利. 半導体レーザー. JP1994077594A. 1994-03-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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