半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 田中 俊明; 皆川 重量; 矢野 振一郎 |
| 发表日期 | 1993-02-19 |
| 专利号 | JP1993041560A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】室温において0.5μm帯の発振波長で動作するAlGaInP系半導体レーザ素子を提供する。 【構成】半導体基板1上に(AlGa)αIn1—αP(0.51αIn1—αP混晶と組成Xで格子整合するGaAs1—xPx混晶を用い、これの組成を半導体基板として用いるGaAs基板1から(AlGa)αIn1—αP混晶2にかけて0からXまでグレーデッドに変えたものを用いることができる。GaAs1—xPx混晶バッファ層1’の膜厚は数十μm程度である。 【効果】GaAs基板上に、格子不整が約4%ある(AlGa)0.7In0.3P混晶を欠陥密度や歪量を小さく成長できた。この結果、レーザ構造としてダブルヘテロ接合が結晶性良く実現でき、多重量子井戸構造活性層を有するレーザ素子において、室温で530〜540nmの範囲のレーザ発振波長を得た。 |
| 公开日期 | 1993-02-19 |
| 申请日期 | 1991-08-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83673]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,皆川 重量,矢野 振一郎. 半導体レーザ素子. JP1993041560A. 1993-02-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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