半導体多層膜反射鏡
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 俊宏; 坂 貴; 廣谷 真澄 |
| 发表日期 | 1993-07-13 |
| 专利号 | JP1993175550A |
| 著作权人 | DAIDO STEEL CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体多層膜反射鏡 |
| 英文摘要 | 【目的】 反射波長域のずれを生じることなく、バンドの不連続に起因する電気抵抗の増加を抑制する。 【構成】 第1半導体32と第2半導体36との間に、それ等の中間のバンドギャップを有する中間層34,38を挿入する。また、反射すべき光の中心波長をλB 、第1半導体32の屈折率をn1 、中間層34,38の屈折率をn2 、膜厚をt2 ,t4 、第2半導体36の屈折率をn3 とした時、第1半導体32の膜厚t1 および第2半導体36の膜厚t3 を次式(1),(2)に従って定めるようにした。 【数1】 t1 ={(λB /4)-(t2 +t4 )n2 /2}/n1 ···(1) t3 ={(λB /4)-(t2 +t4 )n2 /2}/n3 ···(2) |
| 公开日期 | 1993-07-13 |
| 申请日期 | 1991-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83680]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | DAIDO STEEL CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 俊宏,坂 貴,廣谷 真澄. 半導体多層膜反射鏡. JP1993175550A. 1993-07-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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