半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 奥村 敏之; 厚主 文弘; 森岡 達也; 松本 成人 |
| 发表日期 | 1993-11-05 |
| 专利号 | JP1993291690A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 量子井戸構造半導体レーザ装置の高温下におけるキャリアのオーバーフローを低減し、温度特性の良好な半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 量子井戸構造半導体レーザ装置において、量子井戸を構成する井戸層の厚さLzと障壁層の伝導帯下端エネルギー24と該井戸層の伝導帯下端エネルギー23との差V0との間に下記式(I)が成り立つため、量子井戸内には量子準位として最低量子準位のみが存在する。よって、半導体レーザ装置を高温下で作動させた場合でも、第2量子準位に対応する波長で発振することがなく、キャリアのオーバーフローが抑制される。 【数1】 (式中、hはプランク定数、m*は量子井戸内における電子の有効質量を表す)。 |
| 公开日期 | 1993-11-05 |
| 申请日期 | 1992-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83715]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥村 敏之,厚主 文弘,森岡 達也,等. 半導体レーザ装置. JP1993291690A. 1993-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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