半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮下 宗治; 西口 晴美; 島 顕洋; 大倉 裕二 |
| 发表日期 | 2000-09-08 |
| 专利号 | JP2000244063A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 順メサリッジ埋込導波型半導体レーザにおいて、順メサリッジの基底部の幅を狭くして横モードの安定性を確保し、かつ上クラッド層の厚みを充分確保して光の吸収ロスを少なくしつつ、電流ブロック層で挟まれた順メサリッジ頂上部の素子抵抗の少ない高出力の半導体レーザを提供する。 【解決手段】 上クラッド層を順メサリッジ18aを有する第1の上クラッド層18と第1の上クラッド層18の上に配設された第2の上クラッド層26とで構成するとともに、この第2の上クラッド層26は順メサリッジ18aと順メサリッジ18aの両側に配設された電流ブロック層24とを介して第1の上クラッド層18の上に配設された。 |
| 公开日期 | 2000-09-08 |
| 申请日期 | 1999-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83721]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮下 宗治,西口 晴美,島 顕洋,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2000244063A. 2000-09-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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