半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 和田 貢 |
| 发表日期 | 1998-01-06 |
| 专利号 | JP1998004237A |
| 著作权人 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 0.90-1μm 帯の歪量子井戸半導体レーザにおいて、高出力発振下における信頼性を向上させる。 【解決手段】 n-GaAs基板2上に、n-Inx4Ga1-x4As1-y4Py4 クラッド層3、Inx3Ga1-x3As1-yPy光導波層4、Inx2Ga1-x2As1-yPy引張り歪障壁層5、Inx1Ga1-x1As1-yPy 圧縮歪活性層6、Inx2Ga1-x2As1-yPy引張り歪障壁層7、p-Inx3Ga1-x3As1-y3Py3光導波層8、p-Inx4Ga1-x4As1-y4Py4 クラッド層9、p-GaAsコンタクト層10を順次成長させる。障壁層5、7は、活性層6の圧縮歪を補償する歪量の引張り歪を有する。なお、クラッド層3、9および光導波層4、8は基板2に格子整合する組成である。 |
| 公开日期 | 1998-01-06 |
| 申请日期 | 1996-06-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83729]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田 貢. 半導体レーザ. JP1998004237A. 1998-01-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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