半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 壮謙; 林 伸彦 |
| 发表日期 | 2003-08-08 |
| 专利号 | JP3459607B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 動作電圧の低減および出射レーザ光のアスペクト比の改善が可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 サファイア基板2上にn-コンタクト層3、n-クラッド層4、MQW活性層5およびp-第1クラッド層6aが順に形成される。p-第1クラッド層6a上にはストライプ状開口部8を有するn-電流ブロック層7が形成される。ストライプ状開口部8の幅は、n-電流ブロック層7の下層から上層へかけてW2からW1へと段階的に広くなる。n-電流ブロック層7上およびストライプ状開口部8内のp-第1クラッド層6a上にはp-第2クラッド層6bが形成される。p-第2クラッド層6bは幅W2の下端を有する下層および幅W2よりも大きな幅W1を有する上層により構成される。 |
| 公开日期 | 2003-10-20 |
| 申请日期 | 2000-03-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83733]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 壮謙,林 伸彦. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP3459607B2. 2003-08-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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