半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹内 辰也 |
| 发表日期 | 1996-03-22 |
| 专利号 | JP1996078793A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザの製造方法に関し、特性を均一化し、歩留りを向上することができ、メサ構造を平坦に埋め込む工程において排ガス処理を必要としない半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 塩化水素(HCl)が、III 族原料ガス比で例えば0.1〜0の範囲で添加された原料ガスを用い、20〜100torr程度の減圧有機金属気相成長法によってメサ構造の周囲にInP等の埋め込み層を形成する。この際、成長温度を625℃以下にして、既に導入されている不純物の拡散を防ぎ、MQW等の多層構造の界面の劣化を防ぎ、マストランスポートによるメサ構造の変形等の問題を避けることができる。 |
| 公开日期 | 1996-03-22 |
| 申请日期 | 1994-09-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83740]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也. 半導体レーザの製造方法. JP1996078793A. 1996-03-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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