半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 大矢 昌輝 |
| 发表日期 | 2000-02-25 |
| 专利号 | JP2000058982A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 AlGaInPあるいはGaInPのいずれか一方を含むエッチング停止層とGaAs電流阻止層とを備えるAlGaInP赤色半導体レーザにおいて、動作電流を低減する。 【解決手段】 p-(Al)GaInPエッチング停止層とn-GaAs電流阻止層との間に、エッチング停止層よりAl組成比の高いAlGaInPあるいはAlInPのいずれか一方もしくは両方から成る第2の電流阻止層を設ける。第2の電流阻止層の層厚は10〜100nmが望ましく、導電型はn型が望ましい。 |
| 公开日期 | 2000-02-25 |
| 申请日期 | 1998-08-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83746]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大矢 昌輝. 半導体発光素子. JP2000058982A. 2000-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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