発光素子用電極
文献类型：专利
| 作者 | 吉川 明彦; 小林 正和; 長沢 泰之; 山越 英男; 水井 順一; 山口 賢剛 |
| 发表日期 | 1998-03-10 |
| 专利号 | JP1998070309A |
| 著作权人 | YOSHIKAWA AKIHIKO |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光素子用電極 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は発光素子用電極に関する。 【解決手段】 n+ 型GaAs又はn+ 型ZnSe基板1上にMBE,MOCVD等の成膜技術を用いてn型クラッド層2,活性層3,p型クラッド層4及びp型ZnSeコンタクト層5から構成された光素子の電極であって、p型ZnSeコンタクト層5と金属層7との間に、Seと金属との化合物層6を挿入し、上記金属層7と共に電極8bを構成してなる。 |
| 公开日期 | 1998-03-10 |
| 申请日期 | 1996-11-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83751]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | YOSHIKAWA AKIHIKO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉川 明彦,小林 正和,長沢 泰之,等. 発光素子用電極. JP1998070309A. 1998-03-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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