窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 佐野 雅彦 |
| 发表日期 | 2002-11-29 |
| 专利号 | JP3375042B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ光のファーフィールドパターン形状が良好で、単一モードのレーザ光が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 【解決手段】 共振面を有する窒化物半導体レーザ素子の少なくとも一方の共振面の活性層端面113以外の端面に不透光膜204が形成される。 |
| 公开日期 | 2003-02-10 |
| 申请日期 | 1997-08-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83756]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐野 雅彦. 窒化物半導体レーザ素子. JP3375042B2. 2002-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。