半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 渡邊 実 |
| 发表日期 | 1995-04-11 |
| 专利号 | JP1995099363A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、InGaAlP系材料を用いた半導体レーザにおいて、半導体レーザのしきい値電流を低減でき、温度特性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、オーバフロー電流の大部分が電子とされている半導体レーザにおいては、活性層よりもバンドギャップが大きく、p-Pクラッド層よりもバンドギャップの狭い再結合層を、上記p-クラッド層中に挿入する。そして、この再結合層にて上記活性層からp-クラッド層へオーバフローした電子を正孔と再結合させ、その再結合により生じる光のエネルギhν2(hν2>hν1)を活性層で吸収させる。こうして、活性層で新たな電子と正孔とを発生させることより、オーバフロー電流の増加によるしきい値電流の増大を防止する構成となっている。 |
| 公开日期 | 1995-04-11 |
| 申请日期 | 1993-09-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83764]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡邊 実. 半導体発光装置. JP1995099363A. 1995-04-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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