半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 篠田 和典; ▲高▼澤 浩幸; 重田 淳二 |
| 发表日期 | 1999-10-15 |
| 专利号 | JP1999283959A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】化合物半導体装置のドライエッチング後の汚染表面を、加工精度を維持しつつ清浄化する方法を提供する。 【解決手段】ドライエッチング加工後の化合物半導体表面を硫化アンモニウム処理とフロロカーボンガスのプラズマエッチング処理により清浄化する。 |
| 公开日期 | 1999-10-15 |
| 申请日期 | 1998-03-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83767]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 篠田 和典,▲高▼澤 浩幸,重田 淳二. 半導体装置の製造方法. JP1999283959A. 1999-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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