半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 上野 芳康 |
| 发表日期 | 1994-10-18 |
| 专利号 | JP1994291411A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】半導体レーザ単体から緑色のSHG光を発生させる。 【構成】08μmの発振光を発生するInGaAs活性層4とバンドギャップエネルギーが充分大きい一対のAlGaInPクラッド層3及び5を有し、540nmの緑色のSHG光を発生する半導体レーザ。AlGaInPクラッド層はSHG光を吸収しないので、SHG光の発生効率が高い。 |
| 公开日期 | 1994-10-18 |
| 申请日期 | 1993-04-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83772]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上野 芳康. 半導体レーザ. JP1994291411A. 1994-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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