半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 櫛部 光弘; 船水 将久; 高岡 圭児; 阪口 眞弓 |
| 发表日期 | 1993-07-30 |
| 专利号 | JP1993190970A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 コンタクト抵抗の低減により素子抵抗を低減させることができ、素子特性及び信頼性の向上をはかり得る半導体レーザの製造方法を提供すること。 【構成】 ダブルヘテロ構造を有する半導体レーザの製造方法において、InP基板30上にp型不純物の拡散を抑制するためのn型InP拡散抑制層31を形成したのち、拡散抑制層31上に該層31よりもキャリア濃度の低いp型のInGaAs基板側コンタクト層32を形成し、次いで基板側コンタクト層32上にp型InPクラッド層33,MQWの活性層34,InGaAsO光ガイド層35及びn型InPクラッド層36からなるダブルヘテロ構造部を形成し、次いでダブルヘテロ構造部上にn型InGaAsコンタクト層37を形成し、次いで基板30及び拡散抑制層31を除去した後、基板側コンタクト層32の裏面にp側電極を形成し、さらにコンタクト層37上にn側電極を形成することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1993-07-30 |
| 申请日期 | 1992-01-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83784]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫛部 光弘,船水 将久,高岡 圭児,等. 半導体レーザの製造方法. JP1993190970A. 1993-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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